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Herstellerteilenummer | VS-16CTQ080STRRHM3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-16CTQ080STRRHM3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-16CTQ080STRRHM3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 550µA @ 80V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-16CTQ080STRRHM3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-16CTQ080STRRHM3-FT |
VBT2045C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045CBP-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045CBP-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2045CBP-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2060C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2060C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2060C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT2060G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel