Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-1N3211
Herstellerteilenummer | VS-1N3211 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-1N3211 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-1N3211 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 300V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 15A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10mA @ 300V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | DO-203AB, DO-5, Stud |
Supplier Device Package | DO-203AB |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N3211 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-1N3211-FT |
150KS5
Vishay Semiconductor Diodes Division
150KSR5
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150KR40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150KR10A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-150K40A
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12FR10
Vishay Semiconductor Diodes Division
123NQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division
123NQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
123NQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
FCSP140ETR
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel