Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-1N5818TR
Herstellerteilenummer | VS-1N5818TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-1N5818TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-1N5818TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 30V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 30V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-1N5818TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-1N5818TR-FT |
RGP10K-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10K-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10K-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10K-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KE-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KE-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KE-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KE-E3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel