Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VS-20CWT10FN
Herstellerteilenummer | VS-20CWT10FN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-20CWT10FN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-20CWT10FN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 890mV @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | DPAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20CWT10FN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-20CWT10FN-FT |
VS-MBRD650CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD650CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRD660CTTRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12W60C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V12WM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel