Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-20ETF06-M3
Herstellerteilenummer | VS-20ETF06-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-20ETF06-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-20ETF06-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF06-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-20ETF06-M3-FT |
MBR7H45-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR7H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8ATHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8BTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
NS8DTHE3_A/P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel