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Herstellerteilenummer | VS-20ETF10S-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-20ETF10S-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-20ETF10S-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1000V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 20A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.31V @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 400ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1000V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-20ETF10S-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-20ETF10S-M3-FT |
VS-15ETH06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20CTH03STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETH06S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel