Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VS-30CTQ080GSTRRP
Herstellerteilenummer | VS-30CTQ080GSTRRP |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-30CTQ080GSTRRP |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30CTQ080GSTRRP Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 280µA @ 80V |
Betriebstemperatur - Übergang | 175°C (Max) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | D2PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ080GSTRRP Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-30CTQ080GSTRRP-FT |
UGB10DCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10FCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB10GCTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
UGB18ACT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AT40K05-2BQI
Microchip Technology
LFEC6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEB9R2H43I2L
Intel
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
XC7VX330T-1FFG1761I
Xilinx Inc.
LFXP10E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190EF29C6
Intel
EP2SGX90FF1508C3
Intel
EP1C20F400C8N
Intel