Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Arrays / VS-30CTQ100-M3
Herstellerteilenummer | VS-30CTQ100-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-30CTQ100-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-30CTQ100-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 550µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ100-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-30CTQ100-M3-FT |
FEP16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2045CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60170G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel