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Herstellerteilenummer | VS-30CTQ100-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-30CTQ100-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-30CTQ100-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 15A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 550µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30CTQ100-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-30CTQ100-M3-FT |
FEP16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2045CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60170G-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3045C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3045CBP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3060C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30202C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-3VQ80
Microsemi Corporation
LFE2-12SE-7TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-6FG900I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP20K400EFI672-3
Intel
EPF10K200EFC672-2
Intel
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C4F400I7N
Intel