Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-50WQ10FNTR-M3
Herstellerteilenummer | VS-50WQ10FNTR-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-50WQ10FNTR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-50WQ10FNTR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 770mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1mA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 183pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Supplier Device Package | D-PAK (TO-252AA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-50WQ10FNTR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-50WQ10FNTR-M3-FT |
MMBD4448WT-TP
Micro Commercial Co
BAS16WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAS16WE6433HTMA1
Infineon Technologies
BAS16WH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAS16WH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAS69WFILM
STMicroelectronics
BAS70WFILM
STMicroelectronics
BAT 54W E6327
Infineon Technologies
BAT30WFILM
STMicroelectronics
BAT41WFILM
STMicroelectronics
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel