Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-8TQ100S-M3
Herstellerteilenummer | VS-8TQ100S-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-8TQ100S-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-8TQ100S-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 8A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 720mV @ 8A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 550µA @ 80V |
Kapazität @ Vr, F | 500pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-8TQ100S-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-8TQ100S-M3-FT |
VS-20ETS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS10STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25ETS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V1500-4FGG676C
Xilinx Inc.
XC4010E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FGG484C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FGG484
Microsemi Corporation
10AX027H3F35E2LG
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XCV150-6BG256C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3CSG324I
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel