Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-E5TH3012-N3
Herstellerteilenummer | VS-E5TH3012-N3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-E5TH3012-N3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | FRED Pt® |
VS-E5TH3012-N3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 30A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 30A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 113ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 50µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 175°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-E5TH3012-N3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-E5TH3012-N3-FT |
BAS381-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS381-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS382-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS383-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS386-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV300-TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation