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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TP120N
- MFG-Teilenummer
- VS-GB100TP120N
- verfügbare Anzahl
- 36390 Stücke
- Referenzpreis
- USD 84.737664
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Kurze Beschreibung
- - IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - IGBTs - Module
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- VS-GB100TP120N.pdf
VS-GB100TP120N Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | VS-GB100TP120N |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-VS-GB100TP120N |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| VS-GB100TP120N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 200A |
| Leistung max | 650W |
| Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 100A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.43nF @ 25V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / fall | INT-A-Pak |
| Supplier Device Package | INT-A-PAK |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| VS-GB100TP120N Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | VS-GB100TP120N-FT |
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