Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / VS-GB200LH120N
Herstellerteilenummer | VS-GB200LH120N |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-GB200LH120N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-GB200LH120N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Single |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 370A |
Leistung max | 1562W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 200A (Typ) |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200LH120N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-GB200LH120N-FT |
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
XC4044XL-1HQ304I
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896A
Microsemi Corporation
M1A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX36-3PQ208I
Microsemi Corporation
M2GL010S-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSED6K2F40C2N
Intel
APA600-FGG676
Microsemi Corporation
M1A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO2280C-4FT324C
Lattice Semiconductor Corporation