Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / VS-GB200LH120N
Herstellerteilenummer | VS-GB200LH120N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-GB200LH120N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-GB200LH120N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Single |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 370A |
Leistung max | 1562W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.07V @ 15V, 200A (Typ) |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 100nA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200LH120N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-GB200LH120N-FT |
FP50R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation