Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Module / VS-GB200NH120N
Herstellerteilenummer | VS-GB200NH120N |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-GB200NH120N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-GB200NH120N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Single |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 420A |
Leistung max | 1562W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 200A (Typ) |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 18nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200NH120N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-GB200NH120N-FT |
FP50R12KT4GB15BOSA1
Infineon Technologies
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
AGL400V5-FGG256
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-25F-7BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EPF6016ATI100-2N
Intel
EP3SL50F484I4N
Intel
EP3CLS150F484I7N
Intel
5SGSMD6K3F40I3N
Intel
XC5VLX85T-2FF1136C
Xilinx Inc.
A3PE1500-2FGG676I
Microsemi Corporation