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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB200TH120N

Name: VS-GB200TH120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB200TH120N
Price: 377.249336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (428 reviews)

MFG-Teilenummer: VS-GB200TH120N

verfügbare Anzahl: 96970 Stücke

Referenzpreis: USD 377.249336

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 360A 1136W INT-A-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Module

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: VS-GB200TH120N.pdf

VS-GB200TH120N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	VS-GB200TH120N
Zukünftige Teilenummer	FT-VS-GB200TH120N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
VS-GB200TH120N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	-
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	360A
Leistung max	1136W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 200A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	14.9nF @ 25V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package	Double INT-A-PAK
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB200TH120N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	VS-GB200TH120N-FT

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