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Herstellerteilenummer | VS-GB200TH120N |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-GB200TH120N |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-GB200TH120N Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
IGBT-Typ | - |
Aufbau | Half Bridge |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 1200V |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 360A |
Leistung max | 1136W |
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 5mA |
Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 14.9nF @ 25V |
Eingang | Standard |
NTC-Thermistor | No |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | Double INT-A-PAK (3 + 4) |
Supplier Device Package | Double INT-A-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GB200TH120N Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-GB200TH120N-FT |
FP50R12KT4PBPSA1
Infineon Technologies
FP50R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FP75R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12KT4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B11BPSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4B16BOSA1
Infineon Technologies
FP75R12N2T4BOSA1
Infineon Technologies
FS100R06KE3BOSA1
Infineon Technologies
FS100R07N2E4BOSA1
Infineon Technologies
XC2S150-6FGG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-3BG272I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
EP4SGX230KF40C2
Intel
XC2VP40-7FFG1152C
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM49TR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8
Intel
EP4CE75F29I7
Intel
EP3C25F324C8N
Intel
EP1K100QI208-2N
Intel