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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB50YF120N

Name: VS-GB50YF120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GB50YF120N
Price: 127.056 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (485 reviews)

MFG-Teilenummer: VS-GB50YF120N

verfügbare Anzahl: 48900 Stücke

Referenzpreis: USD 127.056

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 66A 330W ECONO

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Module

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: VS-GB50YF120N.pdf

VS-GB50YF120N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	VS-GB50YF120N
Zukünftige Teilenummer	FT-VS-GB50YF120N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
VS-GB50YF120N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	-
Aufbau	-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	66A
Leistung max	330W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	4.5V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	-
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	Module
Supplier Device Package	ECONO2 4PACK
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GB50YF120N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	VS-GB50YF120N-FT

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