Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VS-GBPC3512W
Herstellerteilenummer | VS-GBPC3512W |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-GBPC3512W |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-GBPC3512W Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Single Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 35A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2mA @ 1200V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | 4-Square, GBPC-W |
Supplier Device Package | GBPC-W |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-GBPC3512W Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-GBPC3512W-FT |
E-L6210
STMicroelectronics
L6210
STMicroelectronics
CPC7556N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7556NTR
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557N
IXYS Integrated Circuits Division
CPC7557NTR
IXYS Integrated Circuits Division
UC3610N
Texas Instruments
UC2610N
Texas Instruments
UC2610NG4
Texas Instruments
UC3610NG4
Texas Instruments
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
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A42MX36-1PQ208I
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EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
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5AGXFB1H4F35I5G
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10AX027E1F27E1SG
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EPF10K100EQC208-1X
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