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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP120N

MFG-Teilenummer
VS-GT100TP120N
verfügbare Anzahl
88280 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
- IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
VS-GT100TP120N.pdf
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VS-GT100TP120N Spezifikationen

Herstellerteilenummer VS-GT100TP120N
Zukünftige Teilenummer FT-VS-GT100TP120N
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
VS-GT100TP120N Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) 1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.) 180A
Leistung max 652W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.8nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / fall INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package INT-A-PAK
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT100TP120N Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer VS-GT100TP120N-FT

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