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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP120N

Name: VS-GT100TP120N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GT100TP120N
Availability: InStock
Rating: 4.9 (145 reviews)

MFG-Teilenummer: VS-GT100TP120N

verfügbare Anzahl: 88280 Stücke

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Module

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: VS-GT100TP120N.pdf

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VS-GT100TP120N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	VS-GT100TP120N
Zukünftige Teilenummer	FT-VS-GT100TP120N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
VS-GT100TP120N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
IGBT-Typ	Trench
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	180A
Leistung max	652W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	12.8nF @ 30V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package	INT-A-PAK
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT100TP120N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	VS-GT100TP120N-FT

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