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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP60N

Name: VS-GT100TP60N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GT100TP60N
Price: 174.598336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (613 reviews)

MFG-Teilenummer: VS-GT100TP60N

verfügbare Anzahl: 74530 Stücke

Referenzpreis: USD 174.598336

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung: - IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Module

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: VS-GT100TP60N.pdf

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VS-GT100TP60N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	VS-GT100TP60N
Zukünftige Teilenummer	FT-VS-GT100TP60N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
VS-GT100TP60N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	Trench
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	160A
Leistung max	417W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 100A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	7.71nF @ 30V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package	INT-A-PAK
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT100TP60N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	VS-GT100TP60N-FT

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