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Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT50TP60N

Name: VS-GT50TP60N
Brand: Vishay Semiconductor Diodes Division
SKU: VS-GT50TP60N
Price: 139.733 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (650 reviews)

MFG-Teilenummer: VS-GT50TP60N

verfügbare Anzahl: 88610 Stücke

Referenzpreis: USD 139.733

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Hersteller: Vishay Semiconductor Diodes Division

Kurze Beschreibung: - IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Module

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: VS-GT50TP60N.pdf

VS-GT50TP60N Spezifikationen

Herstellerteilenummer	VS-GT50TP60N
Zukünftige Teilenummer	FT-VS-GT50TP60N
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
VS-GT50TP60N Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
IGBT-Typ	Trench
Aufbau	Half Bridge
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	600V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	85A
Leistung max	208W
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)	1mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce	3.03nF @ 30V
Eingang	Standard
NTC-Thermistor	No
Betriebstemperatur	175°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / fall	INT-A-PAK (3 + 4)
Supplier Device Package	INT-A-PAK
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
VS-GT50TP60N Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	VS-GT50TP60N-FT

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