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Herstellerteilenummer | VS-HFA08TB120SR-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-HFA08TB120SR-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFRED® |
VS-HFA08TB120SR-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | - |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 4.3V @ 16A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 95ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 1200V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-HFA08TB120SR-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-HFA08TB120SR-M3-FT |
VB40150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40150C-M3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40170C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB40M120C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VB60120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VBT10200C-E3/8W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel