Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-MBR1035-M3
Herstellerteilenummer | VS-MBR1035-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MBR1035-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-MBR1035-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 20A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 35V |
Kapazität @ Vr, F | 600pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR1035-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MBR1035-M3-FT |
VS-ETH3006-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ100-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYWE29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH0806-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR760-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007THN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel