Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-MBR1100TR
Herstellerteilenummer | VS-MBR1100TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MBR1100TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-MBR1100TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 500µA @ 100V |
Kapazität @ Vr, F | 35pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | DO-204AL, DO-41, Axial |
Supplier Device Package | DO-204AL (DO-41) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR1100TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MBR1100TR-FT |
RGP10KEHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KEHE3/91
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHM3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10KHM3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGP10M-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P125-2PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
10M16DAF256I7G
Intel
EP1K30FC256-2N
Intel
EP3SE80F1152C2
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel