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Herstellerteilenummer | VS-MBR20100CT-N3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MBR20100CT-N3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-MBR20100CT-N3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 100V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 100V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR20100CT-N3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MBR20100CT-N3-FT |
VS-12CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ035-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ035PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ040-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ040PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15CTQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ060GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel