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Herstellerteilenummer | VS-MBR2035CTHN3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MBR2035CTHN3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-MBR2035CTHN3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 35V |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR2035CTHN3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MBR2035CTHN3-FT |
VS-16CTU04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30100C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT10200C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA08TA60C-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-47CTQ020PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
V60100C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1000-4FTG256I
Xilinx Inc.
APA750-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP2AGX125EF35C5
Intel
EP4SGX360FF35I3
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel