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Herstellerteilenummer | VS-MBR2080CT-N3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MBR2080CT-N3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-MBR2080CT-N3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodenkonfiguration | 1 Pair Common Cathode |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 80V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 800mV @ 10A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 80V |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-3 |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR2080CT-N3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MBR2080CT-N3-FT |
VS-16CTQ060-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ060GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ060PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ080-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ080GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100GPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-16CTU04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel