Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VS-MBR735-M3
Herstellerteilenummer | VS-MBR735-M3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-MBR735-M3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-MBR735-M3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 35V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 7.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 840mV @ 15A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 35V |
Kapazität @ Vr, F | 400pF @ 5V, 1MHz |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | TO-220-2 |
Supplier Device Package | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Übergang | -65°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-MBR735-M3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-MBR735-M3-FT |
MBR760-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007THN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT4045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT3045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VT2045BP-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR10100-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL0806-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3007THN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYW29-200-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel