Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / VS-P123
Herstellerteilenummer | VS-P123 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-P123 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-P123 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 3) |
Anzahl der SCRs, Dioden | 2 SCRs, 2 Diodes |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | - |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | - |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 60mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 357A, 375A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 130mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | 8-PACE-PAK |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-P123 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-P123-FT |
VSKH430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKH500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKL500-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT430-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKT500-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1200E-4FGG320C
Xilinx Inc.
AX125-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF8282ATC100-2N
Intel
EP3C16U256C8N
Intel
5SGXEA3K1F35C2N
Intel
A42MX09-PQG100M
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K3F40E2LG
Intel
EP2AGX190EF29C6N
Intel
EP4SGX230HF35I4
Intel