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Herstellerteilenummer | VS-ST1230C12K1P |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-ST1230C12K1P |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-ST1230C12K1P Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.62V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 1745A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 3200A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 600mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 100mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 28200A, 29500A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AC, K-PUK, A-24 |
Supplier Device Package | A-24 (K-Puk) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST1230C12K1P Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-ST1230C12K1P-FT |
VS-25TTS08S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS12STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS16S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS16SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-25TTS16STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F35I4N
Intel
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6U19C7N
Intel
10M08DCU324I7G
Intel
EP20K600EBC652-1X
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel