Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / VS-ST230S12M0VPBF
Herstellerteilenummer | VS-ST230S12M0VPBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-ST230S12M0VPBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-ST230S12M0VPBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.55V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 230A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 360A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 600mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 30mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 5700A, 5970A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis, Stud Mount |
Paket / fall | TO-209AB, TO-93-4, Stud |
Supplier Device Package | TO-209AB (TO-93) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST230S12M0VPBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-ST230S12M0VPBF-FT |
VS-ST083S04PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S04PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08MFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFM0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFM1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFM1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFN0P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFN1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFN1P
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST083S08PFN2P
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16A-1TQ144
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6FT256C
Xilinx Inc.
A3P600-FG256
Microsemi Corporation
A1425A-VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX155-1FFG1153C
Xilinx Inc.
XC7VX980T-1FF1930I
Xilinx Inc.
LFE2M70E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35I1SG
Intel
EP4CGX150DF31C8
Intel