Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - Thyristoren / VS-ST330C12C0L
Herstellerteilenummer | VS-ST330C12C0L |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VS-ST330C12C0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-ST330C12C0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Aus-Zustand | 1.2kV |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Spannung - Ein-Zustand (Vtm) (max.) | 1.96V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 720A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 1420A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 600mA |
Aktueller - Aus-Zustand (max.) | 50mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 7570A, 7920A |
SCR-Typ | Standard Recovery |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | TO-200AB, E-PUK |
Supplier Device Package | TO-200AB (E-Puk) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-ST330C12C0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-ST330C12C0L-FT |
VS-ST180S04P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S04P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S06P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S06P1VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S08M1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S08P0V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S08P0VPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S08P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S12M1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST180S12P1V
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV600-4FG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F35I4N
Intel
M1A3PE1500-FGG676
Microsemi Corporation
LFE3-70E-7FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC5C6U19C7N
Intel
10M08DCU324I7G
Intel
EP20K600EBC652-1X
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel