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Herstellerteilenummer | VS-VSKN105/10 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VS-VSKN105/10 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VS-VSKN105/10 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Struktur | Common Anode - SCR/Diode |
Anzahl der SCRs, Dioden | 1 SCR, 1 Diode |
Spannung - Aus-Zustand | 1kV |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 105A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 235A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 2.5V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 150mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 2000A, 2094A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 250mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | ADD-A-PAK (3 + 4) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-VSKN105/10 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VS-VSKN105/10-FT |
VS-VSKH142/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/04PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/08PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/12PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/14PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKH26/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640ZE-2TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3SD1800A-4FGG676I
Xilinx Inc.
A54SX32A-TQ176
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-PLG68M
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
10M25DAF484C8G
Intel
XCKU040-2SFVA784E
Xilinx Inc.
A54SX08A-FGG144A
Microsemi Corporation