Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Thyristoren - SCRs - Module / VSKTF200-08HJ
Herstellerteilenummer | VSKTF200-08HJ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VSKTF200-08HJ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VSKTF200-08HJ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Struktur | Series Connection - All SCRs |
Anzahl der SCRs, Dioden | 2 SCRs |
Spannung - Aus-Zustand | 800V |
Aktueller - Ein-Zustand (It (AV)) (Max) | 200A |
Aktueller - Ein-Zustand (It (RMS)) (Max) | 444A |
Spannung - Gate-Trigger (Vgt) (max.) | 3V |
Strom - Gate-Trigger (Igt) (max.) | 200mA |
Strom - Nicht Rep. Überspannung 50, 60Hz (Itsm) | 7600A, 8000A |
Strom - Halten (Ih) (Max) | 600mA |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | 3-MAGN-A-PAK™ |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSKTF200-08HJ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VSKTF200-08HJ-FT |
VS-VSKT91/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKT162/16PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T90RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T50RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T50RIA120
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T50RIA20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T50RIA40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T50RIA60
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T50RIA80
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-T70RIA100
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP1C3T100I7N
Intel
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA9N3F45C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6N
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
XC5VLX30-1FFG676CES
Xilinx Inc.
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG100
Microsemi Corporation
10AX090N4F40I3SG
Intel
5AGXBB5D4F35C4N
Intel