Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VSSAF512-M3/I
Herstellerteilenummer | VSSAF512-M3/I |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VSSAF512-M3/I |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS®, SlimSMA™ |
VSSAF512-M3/I Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 120V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 5A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 400µA @ 120V |
Kapazität @ Vr, F | 360pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-221AC, SMA Flat Leads |
Supplier Device Package | DO-221AC (SlimSMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSAF512-M3/I Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VSSAF512-M3/I-FT |
UG06BHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06BHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06C R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06CHA1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06CHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06D A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06D A1G
Taiwan Semiconductor Corporation
UG06D R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel