Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / VSSB420S-M3/5BT
Herstellerteilenummer | VSSB420S-M3/5BT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VSSB420S-M3/5BT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | TMBS® |
VSSB420S-M3/5BT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.8A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.9V @ 4A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 150µA @ 200V |
Kapazität @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AA, SMB |
Supplier Device Package | DO-214AA (SMB) |
Betriebstemperatur - Übergang | -40°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VSSB420S-M3/5BT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VSSB420S-M3/5BT-FT |
UH1D-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
UH1DHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1AHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1B/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1BHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1D/1
Vishay Semiconductor Diodes Division
US1DHE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel