Zuhause / Produkte / Sicherung / TVS - Dioden / VTVS33GSMF-HM3-08
Herstellerteilenummer | VTVS33GSMF-HM3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VTVS33GSMF-HM3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, TransZorb® |
VTVS33GSMF-HM3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Zener |
Unidirektionale Kanäle | 1 |
Bidirektionale Kanäle | - |
Spannung - Reverse Standoff (Typ) | 33.3V |
Spannung - Durchschlag (min.) | 38.27V |
Spannung - Klemmung (max.) @ Ipp | 55V |
Strom - Spitzenimpuls (10 / 1000µs) | 7.11A |
Leistung - Spitzenimpuls | 400W |
Stromleitungsschutz | No |
Anwendungen | Automotive |
Kapazität bei Frequenz | 379pF @ 1MHz |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VTVS33GSMF-HM3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VTVS33GSMF-HM3-08-FT |
VTVS10ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS12ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS28ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS33ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS5V0ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS5V0ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS63ASMF-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10ASMF-HM3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10ASMF-HM3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
VTVS10ASMF-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PE600-1PQG208
Microsemi Corporation
EP2AGX65DF25C4N
Intel
5CGXFC7B6M15C7N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX330T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP2S90F780C5
Intel
EPF8636AQC160-4
Intel