Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VUO105-18NO7
Herstellerteilenummer | VUO105-18NO7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VUO105-18NO7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VUO105-18NO7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 140A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.09V @ 40A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1800V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | PWS-C |
Supplier Device Package | PWS-C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO105-18NO7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VUO105-18NO7-FT |
VS-70MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
A40MX02-VQ80I
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1FG484I
Xilinx Inc.
A3P600L-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
5SGTMC5K2F40C2N
Intel
M2GL090TS-1FGG676
Microsemi Corporation
LFXP20E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EBC356-2
Intel