Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VUO105-18NO7
Herstellerteilenummer | VUO105-18NO7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VUO105-18NO7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VUO105-18NO7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.8kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 140A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.09V @ 40A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1800V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | PWS-C |
Supplier Device Package | PWS-C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO105-18NO7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VUO105-18NO7-FT |
VS-70MT160KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel