Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VUO110-08NO7
Herstellerteilenummer | VUO110-08NO7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VUO110-08NO7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VUO110-08NO7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 800V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 127A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.13V @ 50A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 800V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | PWS-E1 |
Supplier Device Package | PWS-E1 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO110-08NO7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VUO110-08NO7-FT |
VS-70MT80KPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
APTDF100H100G
Microsemi Corporation
APTDF100H170G
Microsemi Corporation
APTDF100H20G
Microsemi Corporation
APTDF100H601G
Microsemi Corporation
APTDF200H100G
Microsemi Corporation
APTDF200H120G
Microsemi Corporation
APTDF200H170G
Microsemi Corporation
APTDF30H1201G
Microsemi Corporation
APTDF30H601G
Microsemi Corporation
LFXP3C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1600E-5FGG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-1FG256I
Microsemi Corporation
XC4020XL-09HT176C
Xilinx Inc.
EP3C55F484C6N
Intel
10M02SCE144C7G
Intel
5AGXMA3D4F27C4N
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H2F34I1SG
Intel