Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VUO125-12NO7
Herstellerteilenummer | VUO125-12NO7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-VUO125-12NO7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VUO125-12NO7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 166A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 50A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | PWS-C |
Supplier Device Package | PWS-C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO125-12NO7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VUO125-12NO7-FT |
GBJ3502-BP
Micro Commercial Co
GBJ25005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1502-BP
Micro Commercial Co
GBJ1002-BP
Micro Commercial Co
GBJ1010-BP
Micro Commercial Co
GBJ1501-BP
Micro Commercial Co
GBJ2501-BP
Micro Commercial Co
GBPC5004-BP
Micro Commercial Co
GBPC5010-BP
Micro Commercial Co
GBPC5006-BP
Micro Commercial Co
LFE2-6SE-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200E-7FG456C
Xilinx Inc.
10M08SCE144I7G
Intel
5SGXEB5R1F43C2LN
Intel
A40MX02-1PL44M
Microsemi Corporation
XC7K325T-1FFG900I
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX032E2F29E1HG
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel
5SGSMD3H1F35C2LN
Intel