Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Brückengleichrichter / VUO125-12NO7
Herstellerteilenummer | VUO125-12NO7 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-VUO125-12NO7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
VUO125-12NO7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Three Phase |
Technologie | Standard |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 1.2kV |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 166A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.07V @ 50A |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 200µA @ 1200V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Paket / fall | PWS-C |
Supplier Device Package | PWS-C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VUO125-12NO7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | VUO125-12NO7-FT |
GBJ3502-BP
Micro Commercial Co
GBJ25005-BP
Micro Commercial Co
GBJ1502-BP
Micro Commercial Co
GBJ1002-BP
Micro Commercial Co
GBJ1010-BP
Micro Commercial Co
GBJ1501-BP
Micro Commercial Co
GBJ2501-BP
Micro Commercial Co
GBPC5004-BP
Micro Commercial Co
GBPC5010-BP
Micro Commercial Co
GBPC5006-BP
Micro Commercial Co
XC3S1200E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M2GL005-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2A15F672I8
Intel
EP4S100G2F40I2
Intel
EP4SGX530NF45I4N
Intel
5SGXMB5R3F43C3N
Intel
XC2VP30-5FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176
Microsemi Corporation
EP1AGX60DF780I6N
Intel