Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / W632GG6AB-12
Herstellerteilenummer | W632GG6AB-12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GG6AB-12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GG6AB-12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | - |
Paket / fall | - |
Supplier Device Package | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG6AB-12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GG6AB-12-FT |
W25Q32FWBYIQ TR
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ
Winbond Electronics
W25Q32FWSSIQ TR
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W25Q64CVSSJG
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W25Q64CVSSJG TR
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W25Q64CVSSJP
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W25Q64CVSSJP TR
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W25Q64CVZPJG
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W25Q64CVZPJG TR
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W25Q64CVZPJP
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M1AFS600-2FG484
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AGL060V5-VQG100I
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AGLN060V5-VQG100I
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5SGXEA7N2F40C3N
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5CGXFC4F6M11C7N
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5SGXEB6R3F43C3
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LCMXO1200E-4M132I
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EP20K400EBC652-2X
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