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Herstellerteilenummer | W632GG8AB-11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GG8AB-11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GG8AB-11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 933MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-WBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8AB-11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GG8AB-11-FT |
W9464G6KH-4 TR
Winbond Electronics
W9464G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9464G6KH-5I
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W9464G6KH-5I TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6
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MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
Winbond Electronics
W9864G6KH-6
Winbond Electronics
W9812G6IH-6
Winbond Electronics
W9812G6JH-5
Winbond Electronics
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel