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Herstellerteilenummer | W632GG8KB-09 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GG8KB-09 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GG8KB-09 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 1066MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-WBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8KB-09 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GG8KB-09-FT |
W9464G6KH-5I TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6
Winbond Electronics
MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
Winbond Electronics
W9864G6KH-6
Winbond Electronics
W9812G6IH-6
Winbond Electronics
W9812G6JH-5
Winbond Electronics
W9812G6JH-6I
Winbond Electronics
W9812G6KH-5
Winbond Electronics
W9812G6KH-5 TR
Winbond Electronics
XC7A50T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1AGL1000V5-FGG484
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A3P250L-VQG100
Microsemi Corporation
5SGXEA4H3F35C4N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-4BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
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