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Herstellerteilenummer | W632GG8KB-11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GG8KB-11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GG8KB-11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (256M x 8) |
Taktfrequenz | 933MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-TFBGA |
Supplier Device Package | 78-WBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8KB-11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GG8KB-11-FT |
W9812G6KH-6
Winbond Electronics
MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
Winbond Electronics
W9864G6KH-6
Winbond Electronics
W9812G6IH-6
Winbond Electronics
W9812G6JH-5
Winbond Electronics
W9812G6JH-6I
Winbond Electronics
W9812G6KH-5
Winbond Electronics
W9812G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6 TR
Winbond Electronics
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel