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Herstellerteilenummer | W632GG8MB-11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GG8MB-11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GG8MB-11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 933MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-VFBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GG8MB-11-FT |
W9812G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W9825G6EH-6
Winbond Electronics
W9825G6JH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6JH-6I
Winbond Electronics
W9825G6JH-6I TR
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W9825G6KH-5
Winbond Electronics
W9825G6KH-5 TR
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W9825G6KH-6 TR
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I
Winbond Electronics
W9825G6KH-6I TR
Winbond Electronics
XC6SLX100-2FG484I
Xilinx Inc.
EP4S100G2F40I1N
Intel
5SGXMA5H2F35I3LN
Intel
A1020B-PL44C
Microsemi Corporation
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
XC6SLX4-2CPG196I
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-2UMG64I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel