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Herstellerteilenummer | W632GG8MB-12 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GG8MB-12 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GG8MB-12 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.425V ~ 1.575V |
Betriebstemperatur | 0°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-VFBGA (10.5x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GG8MB-12 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GG8MB-12-FT |
W9464G6JH-5I
Winbond Electronics
W9464G6KH-4
Winbond Electronics
W9464G6KH-4 TR
Winbond Electronics
W9464G6KH-5 TR
Winbond Electronics
W9464G6KH-5I
Winbond Electronics
W9464G6KH-5I TR
Winbond Electronics
W9812G6KH-6
Winbond Electronics
MD56V62160M-7TAZ0AX
Rohm Semiconductor
W9825G6KH-6
Winbond Electronics
W9864G6KH-6
Winbond Electronics
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
XC2V500-5FG256I
Xilinx Inc.
A14V40A-VQG100C
Microsemi Corporation
5SGXMABN3F45C2LN
Intel
A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K4F35I3SG
Intel
EP20K200EQC240-1X
Intel