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Herstellerteilenummer | W632GU6KB12J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W632GU6KB12J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GU6KB12J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 96-TFBGA |
Supplier Device Package | 96-WBGA (9x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU6KB12J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GU6KB12J-FT |
AT45DB081D-MU
Adesto Technologies
AT45DB081D-MU-2.5
Adesto Technologies
AT45DB081D-MU-2.5-SL383
Adesto Technologies
AT45DB081D-MU-SL383
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AT45DB081D-MU-SL954
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AT45DB081D-MU-SL955
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-2.5
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AT45DB321D-MU-2.5-SL383
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-SL383
Adesto Technologies
AT45DB321D-MU-SL954
Adesto Technologies
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
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A3P250-2FG256I
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A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
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XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel