Zuhause / Produkte / Integrierte Schaltungen (ICs) / Erinnerung / W632GU8MB12I TR
Herstellerteilenummer | W632GU8MB12I TR |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-W632GU8MB12I TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W632GU8MB12I TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - DDR3 |
Speichergröße | 2Gb (128M x 16) |
Taktfrequenz | 800MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Zugriffszeit | 20ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.283V ~ 1.45V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 95°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 78-VFBGA |
Supplier Device Package | 78-VFBGA (8x10.5) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W632GU8MB12I TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W632GU8MB12I TR-FT |
W9864G6KH-6I
Winbond Electronics
W9864G6KH-6I TR
Winbond Electronics
W19B320ABB7H
Winbond Electronics
W19B320ATB7H
Winbond Electronics
W29GL032CB7A
Winbond Electronics
W29GL032CT7A
Winbond Electronics
W29GL064CB7A
Winbond Electronics
W949D2DBJX5I
Winbond Electronics
W94AD2KBJX5I
Winbond Electronics
W948D2FBJX5I
Winbond Electronics
APA750-FG896A
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
Intel
10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel