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Herstellerteilenummer | W979H2KBQX2E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W979H2KBQX2E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W979H2KBQX2E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Speichergröße | 512Mb (16M x 32) |
Taktfrequenz | 400MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | - |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.14V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 168-WFBGA |
Supplier Device Package | 168-WFBGA (12x12) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W979H2KBQX2E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W979H2KBQX2E-FT |
W29GL128CH9C
Winbond Electronics
W29GL128CH9C TR
Winbond Electronics
W29GL128CL9C
Winbond Electronics
W29GL128CL9C TR
Winbond Electronics
W29GL128PH9B TR
Winbond Electronics
W29GL128PH9T
Winbond Electronics
W29GL128PH9T TR
Winbond Electronics
W29GL256SH9C
Winbond Electronics
W29GL256SH9C TR
Winbond Electronics
W29GL256SL9C
Winbond Electronics
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel