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Herstellerteilenummer | W987D2HBJX6E |
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Zukünftige Teilenummer | FT-W987D2HBJX6E |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
W987D2HBJX6E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | DRAM |
Technologie | SDRAM - Mobile LPSDR |
Speichergröße | 128Mb (4M x 32) |
Taktfrequenz | 166MHz |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 15ns |
Zugriffszeit | 5.4ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TC) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 90-TFBGA |
Supplier Device Package | 90-VFBGA (8x13) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
W987D2HBJX6E Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | W987D2HBJX6E-FT |
W972GG6JB-25 TR
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W972GG6JB-3
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A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel