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W987D2HBJX7E Image

Winbond Electronics W987D2HBJX7E

MFG-Teilenummer
W987D2HBJX7E
verfügbare Anzahl
58900 Stücke
Referenzpreis
USD 1.936632
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Winbond Electronics
Kurze Beschreibung
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Erinnerung
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
W987D2HBJX7E.pdf
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W987D2HBJX7E Spezifikationen

Herstellerteilenummer W987D2HBJX7E
Zukünftige Teilenummer FT-W987D2HBJX7E
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
W987D2HBJX7E Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Not For New Designs
Speichertyp Volatile
Speicherformat DRAM
Technologie SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße 128Mb (4M x 32)
Taktfrequenz 133MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns
Zugriffszeit 5.4ns
Speicherschnittstelle Parallel
Spannungsversorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / fall 90-TFBGA
Supplier Device Package 90-VFBGA (8x13)
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
W987D2HBJX7E Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer W987D2HBJX7E-FT

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